Конференции, проводимые по тематике КФТИ КазНЦ РАН
20-24 августа 2015 / 22-я Международная конференция "Взаимодействие ионов с поверхностью" (ВИП-2015)
Россия, г. Москва, Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ». Web
Анкеты участника конференции - 15 января 2015 г.
Тезисов докладов - 15 марта 2015 г. продлен до 22 марта 2015 г.
Уведомление о приеме докладов - 20 апреля 2015 г.
Рукописей статей в материалы конференции - 20 августа 2015 г.
Мы рекомендуем участникам конференции останавливаться в ближайшем к МИФИ отеле - "Интурист-Коломенское". Он расположен в пяти минутах ходьбы от места проведения конференции. Доступны одноместные и двухместные номера, завтрак включен в стоимость проживания. Забронировать номер в этом отеле нужно самостоятельно, на сайте http://www.intourist-kolomenskoe.ru/ При бронировании укажите промо-код "ISI2015" (без кавычек), чтобы получить скидку как участник конференции.
Другой вариант размещения - проживание в общежитии МИФИ (ул. Москворечье, дом 2). Проживание возможно в двухместных номерах, стоимостью около 400 руб. с человека за ночь, одна ванная комната на несколько жилых комнат. Общежитие расположено в 15 минутах ходьбы от МИФИ. Если вы хотите жить в общежитии, заранее свяжитесь с организационным комитетом.
ПРЕДВАРИТЕЛЬНЫЙ СПИСОК ПРИГЛАШЕННЫХ ДОКЛАДЧИКОВ
1. Friedrich Aumayr Vienna University of Technology (TU Wien), Austria
Interaction of slow highly charged ions with ultrathin carbon nanomembranes and graphene
2. Lothar Bischoff Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, Germany
Surface modification with heavy mono- and polyatomic ions
3. Iva BogdanovićRadović RudjerBoškovićInstitute , Croatia
MeV ions - a tool for formation and ordering of semiconductor and metal QD in thin amorphous layers
4. Stefan Facsko Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, Germany
Spontaneous pattern formation on ion irradiated semiconductor surfaces
5. Thomas Greber University of Zurich, Switzerland
Low energy ion implantation beneath 2D materials like boron nitride or graphene: Nanotents and "Can opener" effect
6. Xiao-Tao Hao Shandong University, China
Hydrogenated oxide semiconductor films by sputtering
7. GregorHlawacek Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, Germany
High resolution surface patterning with the Helium Ion Microscope
8. Brandon Holybee University of Illinois at Urbana-Champaign, USA
Investigating the chemical and structural evolution of III-V semiconductors under pre-pattern formation ion irradiation processes
9. Kenji Kimura Kyoto University, Japan
Transmission secondary ion mass spectrometry of biomolecules using MeV C60 ions
10. Eli Kolodney Technion - Israel Institute of Technology, Israel
Surface sputtering by fullerene ion beams - velocity correlated cluster emissionion beams
11. FranciszekKrok Jagiellonian University, Poland
Pillars formation on compound semiconductor surfaces under focused and broad ion beam irradiation
12. Sergei Kucheyev Lawrence Livermore National Laboratory, USA
Dynamics of radiation damage production studied by pulsed ion beams
13. Thomas Michely University of Cologne, Germany
New phenoma in 2D-layer irradiation with low energy ions
14. Paolo Milani University of Milano, Italy
Supersonic cluster beam implantation in polymers: a novel tool for stretchable electronics and optics
15. Kai Nordlund Helsinki University, Finland
Ion irradiation of Si, GaN and Au nanowires: order-of-magnitude enhancements of damage production and sputtering
16. Vladimir Popok Aalborg University, Denmark
Low-energy interaction of metal cluster ions with surfaces
17. Philippe Roncin Université Paris-Sud, France
Grazing incidence Fast Atom Diffraction on surfaces
18. Mike Russel University of Pretoria, South Africa
Non-linear transport of energy in thin films and surface interactions
19. Toshio Seki Kyoto University, Japan
Imaging mass spectrometry with heavy MeV-energy ion beams
20. Tomᚊkereň Czech Technical University in Prague, Czech Republic
Ion induced nanopatterning of metals
21. Christina Trautmann GSI HelmholzCenter, Germany
Sputtering in the electronic energy loss regime
22. Roger Webb University of Surrey, UK
Ambient pressure MeV-SIMS system

